IGBT的驱动电路必须具备2个功能，一是实现控制电路与被驱动IGBT栅的电隔离;二是提供合适的栅驱动脉冲。本设计中采用IR2113作为逆变电路IGBT驱动芯片，它兼有光祸隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)的优点。IR2113工作电压可达600V，工作频率高可达SOOKHz。开通和关断延时分别为120ns和94ns。此芯片采用悬浮自举电源设计，可以减少驱动电源的数目，单相桥式电路中，仅用一组电源即可，简化了设计和节省了成本。IR2113用于半桥驱动的电路。分别为自举电容和二管，C2为滤波电容。假定在T1关断期间C1己经充到足够的电压。当输入为高电平时，T1导通，T2关断，VCC加到T1的栅和源之间，T1导通。随着T1的导通，T1源电压接近直流母线的正端电压，由于C1的电压不能突变，C1上的电压被抬高，维持T1栅和源的电位差，令 Tl维持导通。当输入为低电平时，T1截止，T2导通，C1通过T2进行充电，迅速为C1补充能量，如此循环反复。