FZ3600R17HE4P西门子S120变频器IGBT模块
FZ3600R17HE4P西门子S120变频器IGBT模块
产品价格:¥18888(人民币)
  • 规格:FZ3600R17HE4P
  • 发货地:本地至全国
  • 品牌:
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    商品详情

      FZ3600R17HE4P西门子S120变频器IGBT模块

      北京京诚宏泰科技有限公司供应英飞凌IGBT模块FZ3600R17HE4P

      大功率单管IGBT模块 3600A 1700V

      产品特征描述:

      1. 提高工作温度Tvj op
      2. 低开关损耗
      3. 低 VCEsat
      4. Tvj op = 150°C
      5. 4 kV 交流 1 分钟绝缘
      6. 封装的 CTI > 400
      7. 高爬电距离和电气间隙
      8. 铜基板
      9. UL 认证

      产品优势:

      • 高功率密度
      • 标准封装


      IGBT 晶体管 PP IHM I XHP 1 7KV

      IGBT 模块 沟槽型场截止 单开关 1700 V 3600 A 底座安装 模块

      IGBT 类型   沟槽型场截止
      配置  单开关
      电压 - 集射极击穿  1700 V
      电流 - 集电极 (Ic)  3600 A
      不同 Vge、Ic 时 Vce(on)    2.3V @ 15V,3600A
      电流 - 集电极截止    5 mA
      不同 Vce 时输入电容 (Cies)195 nF @ 25 V
      输入 标准
      NTC 热敏电阻   无
      工作温度  -40°C ~ 150°C
      安装类型   底座安装
      封装/模块
      供应商器件封装  模块


      IGBT是什么?
      IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
      IGBT与MOSFET的对比
      MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
      北京京诚宏泰科技有限公司销售FZ3600R17HE4P西门子S120变频器IGBT模块
      优点:热稳定性好、安全工作区大。
      缺点:击穿电压低,工作电流小。
      IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
      北京京诚宏泰科技有限公司销售FZ3600R17HE4P西门子S120变频器IGBT模块
      特点:

      击穿电压可达1200V,集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。
      IGBT的典型应用
      电动机
      不间断电源
      太阳能面板安装
      电焊机
      电源转换器与反相器
      电感充电器
      电磁炉

      FZ1800R17KF4
      FZ1200R17KF6C_B2
      FZ1600R17KF6C_B2
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      FZ1200R17HE4

      FZ1200R17HP4_B2
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      FZ1800R17HP4_B9
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      FZ2400R17HP4_B9
      FZ3600R17HP4
      IGBT4 Fast (IHM B) 1)
      FZ1200R17HE4
      FZ1800R17HE4_B9
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      FZ3600R17HE4


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