进相器功率因数摇摆不定的原因

      静止式进相器采用交－交变频装置，将50HZ的工频电压转变为与电动机转子电流同频的低频电压附回电机的转子回路，并使该附加电压滞后转子电流90,达到电动机转子侧串接电容器的效果。这个附加电压是由50HZ的基波组成。

      进相器的主要组成部分是由12只可控硅的交－交变频装置和控制、触发电路，如果某一只可控硅损坏不能正确导通，就会引起环流，进相器内的可控硅和铜排温度会升高，对外反应到表上，就会导致电流表和功率因数表摇摆不定，比不进相时指针摆动大，这时就可以查一下可控硅有没有击穿的，触发脉冲是否正常，可控硅坏了几只就全部换掉，压好散热器片，换好后先把主控板打到试验状态，再试，如果一切正常，然后打到工作状态，再按照开机顺序，一步步把设备开起来，再投入进相器，这时再观察进相器功率因数摇摆不定的现象是不是没有了。

     进相器等设备在运行过程中，会受到由交流供电电网进入的操作过电压和雷击过电压的侵袭。同时，设备自身运行中以及非正常运行中也有过电压出现。过电压保护的第一种方法就是可控硅两端并接R-C阻容吸收回路，在可控硅阴阳极两端直接进行保护。可控硅关断过程中主电流过零反向后迅速由反向峰值恢复至零电流，此过程可在元件两端产生达正常工作峰值电压5-6倍的尖峰电压。一般建议在尽可能靠近元件本身的地方接上阻容吸收回路。电阻R选无感电阻，通常取5-30Ω;电容C通常在0. 1-1μF,耐压选元件耐压的1. 1-1. 5倍。具体R、C取值可根据元件型号及工作情况调试决定。注意保证电阻R的功率，使之不会因发热而损坏。加在可控硅上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制，如果dv/dt过大，由于可控硅结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使可控硅正向阻断能力下降，严重时引起可控硅误导通。为了抑制dv/dt的作用，可以在可控硅两端并联R-C阻容吸收回路。