详细介绍: 原装现货供应富士一单元IGBT模块1MBI150L-060
富士FUJI三电平IGBT模块特点:
(1) 采用新三电平拓的模块中包含 IGBT, FWD, 和 RB-IGBT逆阻式IGBT.
(2) 采用专利RB-IGBT.
(3) 降低开关损耗.
(4) 降低了内部电感。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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富士电机简介:
富士电机早在1923年成立以来,一直致力于技术革新和挑战,为顾客提供高质量的服务。
富士电机集团是“向客户提供最大满足的企业”的代名词。不断向具有独创性的技术革新挑战,为客户竭诚服务。
FUJI ELECTRIC富士电机发挥创业以来积累的“自由操控电力”的电力电子技术优势,成为“环境,能源”领域举足轻重的国际企业。
FUJI ELECTRIC富士电机研发制造高品质电力电子功率半导体IGBT/IPM,为太阳能发电,风力发电,智能电网,工业自动化变频伺服,
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