详细介绍: DS200RTBAG3A如下图所示为清晰的温度曲线,必须将它提供给用户以便于建立特种IC资格认证计划。 峰值温度条件常常出现在车辆的有效生命周期剩下不到10%的期间,对于在最大工作环境温度方面执行的1,000小时惯例寿命测试(的结果)接近完好。不过,有时需要对较高温度进行更长时间的测试,而且,作为IC资格认证过程的组成部分,要详细说明延长工作寿命测试压力的精确特性。 其它要关心的问题还有跟温度相关的电迁移效应。电迁移来自传导电子和扩散金属原子之间的动量交换,且对平均故障时间有直接影响。在IC中,电通过直接与有效散热器接触的薄膜条传导,因为大多数电流产生的热被传导到芯片之中,薄膜导体可以承受的电流密度高达1mA/cm2。在这样的电流密度,电迁移很大。初始解决方案包括采用含铜高达4%的合金铝来提高金属导体对电迁移的抵抗力。这种设计出现了变化,DS200RTBAG3A应归于工艺上的考虑,但是,现在合金铝中通常仍然要用采用0.5%的铜。 制造条件 当然,不仅仅是芯片要承受高工作温度的影响,整个电路板必须在最坏条件下工作可靠。尽管采用SI2C可以减少元件和互连的数量,但是在电路板上不同的元件之间仍然存在互连。这些连接自然要可靠。因此,最近开始采用锡银铜(SnAgCu)合金无铅焊;在150C以上,推荐采用银铜铋(SnAgCuBi)替代传统的锡铅焊(SnPb)。因此,必须根据汽车环境对振动、噪声和温度的要求,来设计电路板和元器件的制造工艺技术。 DS200RTBAG3A DS200SBCBG1A DS200SBCAG1A DS200RTBAG5A DS200RTBAG4A DS200RTBAG1A DS200QTBAG2A DS200QTBAG1A DS200SHVMG1A DS200SHVIG1A DS200SHCBG1A DS200SHCAG1B DS200SDCIG2A DS200SDCIG1A DS200SDCCG5A DS200SDCCG4A DS200SDCCG3A DS200SDCCG2A DS200SSBAG1B DS200SSBAG1A DS200SPCBG1A DS200SNPAH1A PENTAX FS-38X SIGMOIDOSCOPE THOMAS MICRON RESOLVERS SWITCHES 50-306-444-1205
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