产品价格:689 元(人民币) 上架日期:2014年9月10日 产地:德国 发货地:北京 (发货期:当天内发货) 供应数量:不限 最少起订:1个 浏览量:246 暂无相关下载 其他资料下载:
简要说明:
北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货供应西门子IGBT模块6SY7000-0AD33 德国西门子变频器专用IGBT功率模块6SY7000-0AD33 1单元单管大功率IGBT模块6SY7000-0AD33 6SY7000-0AD33技术参数:vces=1600v ; ic=800A 6SY7000-0AD33用中的注意事项 由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点: 在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货供应西门子IGBT模块6SY7000-0AD33 6SY7000-0AA30 6SY7000-0AB30 6SY7000-0AC30 6SY7000-0AA31 6SY7000-0AB31 6SY7000-0AC31 6SY7000-0AA32 6SY7000-0AB32 6SY7000-0AC32 6SY7000-0AA33 6SY7000-0AB33 6SY7000-0AC33 6SY7000-0AA34 6SY7000-0AB34 6SY7000-0AC34 6SY7000-0AA35 6SY7000-0AB35 6SY7000-0AC35 6SY7000-0AA36 6SY7000-0AB36 6SY7000-0AC36 6SY7000-0AA37 6SY7000-0AB37 6SY7000-0AC37 6SY7000-0AA38 6SY7000-0AB38 6SY7000-0AC38 6SY7000-0AA39 6SY7000-0AB39 6SY7000-0AC39 6SY7000-0AA40 6SY7000-0AB40 6SY7000-0AC40 6SY7000-0AA41 6SY7000-0AB41 6SY7000-0AC41 6SY7000-0AA42 6SY7000-0AB42 6SY7000-0AC42 6SY7000-0AA43 6SY7000-0AB43 6SY7000-0AC43 6SY7000-0AA44 6SY7000-0AB44 6SY7000-0AC44 6SY7000-0AA45 6SY7000-0AB45 6SY7000-0AC45 6SY7000-0AA46 6SY7000-0AB46 6SY7000-0AC46 6SY7000-0AA47 6SY7000-0AB47 6SY7000-0AC47 6SY7000-0AA48 6SY7000-0AB48 6SY7000-0AC48 6SY7000-0AA49 6SY7000-0AB49 6SY7000-0AC49 6SY7000-0AA50 6SY7000-0AB50 6SY7000-0AC50 6SY7000-0AA51 6SY7000-0AB51 6SY7000-0AC51 北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货供应西门子IGBT模块6SY7000-0AD33 6SY7010-0AA12 6SY7010-0AB12 6SY7010-3AA11 6SY7010-0AA13 6SY7010-0AB13 6SY7010-3AA12 6SY7010-0AA14 6SY7010-0AB14 6SY7010-3AA13 6SY7010-0AA15 6SY7010-0AB15 6SY7010-3AA14 6SY7010-0AA16 6SY7010-0AB16 6SY7010-3AA15 6SY7010-0AA17 6SY7010-0AB17 6SY7010-3AA16 6SY7010-0AA18 6SY7010-0AB18 6SY7010-3AA17 6SY7010-0AA19 6SY7010-0AB19 6SY7010-3AA18 6SY7010-0AA20 6SY7010-0AB20 6SY7010-3AA19 6SY7010-0AA21 6SY7010-0AB21 6SY7010-3AA20 6SY7010-0AA22 6SY7010-0AB22 6SY7010-2AA01 6SY7010-0AA23 6SY7010-0AB23 6SY7010-2AA02 6SY7010-0AA24 6SY7010-0AB24 6SY7010-2AA03 IGBT芯片发展进程 IGBT芯片始于19世纪80年代中期。30年以来,就FOM(优点指数)来说,今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右,其中改良技术包括:精细化加工工艺、栅式IGBT的开发(如三菱电机的CSTBT),以及薄晶圆的开发等等。如今,三菱电机的IGBT芯片已经踏入第7代,正朝第8代迈进。 随着产品的更新换代,功耗越来越低,尺寸越来越小。从80年代中期至今,芯片尺寸只是原来的1/4。 根据IGBT电流容量和市场需求,功率器件分成四大类,包括用于家电变频器的小功率器件,用于工业的较大功率器件,应用在电动汽车的中功率器件,用于电力和牵引的大功率器件。今后都将朝高电流密度、小型化封装及低损耗方向演进。 具体改良措施 三菱电机第7代IGBT模块,功耗降低了约15%~20%,分NX(通用)系列和STD(标准)系列两种封装,取消了绝缘基板,提高了散热性,使产品变得更轻,效率提升了35%。为了降低反复开关造成的噪音,三菱电机增强了通过栅极电阻调节dv/dt的可控性。 ● 晶圆片更薄。芯片变薄,使功耗得以降低,但变薄后耐压特性会变差,所以要适度逐层调整,才能使之更耐用和更有效。第7代IGBT芯片涵盖的电压等级有600V、1200V和1700V。 在晶圆尺寸方面,从2000年开始的5英寸,发展至今日的8英寸,最薄达到50微米。晶圆还会继续朝12英寸发展,产品变得更薄,电阻更低。 北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货供应西门子IGBT模块6SY7000-0AD33 6SY8101-0AA00 6SY8101-0AB02 6SY8102-0CC20 6SY8101-0AA01 6SY8101-0AB03 6SY8102-0CC30 6SY8101-0AA02 6SY8101-0AB04 6SY8102-0CD10 6SY8101-0AA03 6SY8101-0AB05 6SY8102-0CD20 6SY8101-0AA04 6SY8101-0AB06 6SY8101-0AB72 6SY8101-0AA06 6SY8101-0AB07 6SY8101-0AB73 6SY8101-0AA08 6SY8101-0AB08 6SY8101-0AB74 6SY8101-0AA11 6SY8101-0AB09 6SY8101-0AB75 6SY8101-0AA12 6SY8101-0AB10 6SY8101-0AB76 6SY8101-0AA13 6SY8101-0AB11 6SY8101-0AB77 6SY8101-0AA14 6SY8101-0AB12 6SY8101-0AB78 6SY8101-0AA16 6SY8101-0AB13 6SY8101-0AB79 6SY8101-0AA17 6SY8101-0AB14 6SY8101-0AB80 6SY8101-0AA18 6SY8101-0AB15 6SY8101-0AB81 6SY8101-0AA22 6SY8101-0AB16 6SY8101-0AB82 6SY8101-0AA23 6SY8101-0AB17 6SY8101-0AB83
北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货供应西门子IGBT模块6SY7000-0AD33
德国西门子变频器专用IGBT功率模块6SY7000-0AD33
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6SY7000-0AD33技术参数:vces=1600v ; ic=800A
6SY7000-0AD33用中的注意事项 由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点: 在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
6SY7000-0AA30 6SY7000-0AB30 6SY7000-0AC30 6SY7000-0AA31 6SY7000-0AB31 6SY7000-0AC31 6SY7000-0AA32 6SY7000-0AB32 6SY7000-0AC32 6SY7000-0AA33 6SY7000-0AB33 6SY7000-0AC33 6SY7000-0AA34 6SY7000-0AB34 6SY7000-0AC34 6SY7000-0AA35 6SY7000-0AB35 6SY7000-0AC35 6SY7000-0AA36 6SY7000-0AB36 6SY7000-0AC36 6SY7000-0AA37 6SY7000-0AB37 6SY7000-0AC37 6SY7000-0AA38 6SY7000-0AB38 6SY7000-0AC38 6SY7000-0AA39 6SY7000-0AB39 6SY7000-0AC39 6SY7000-0AA40 6SY7000-0AB40 6SY7000-0AC40 6SY7000-0AA41 6SY7000-0AB41 6SY7000-0AC41 6SY7000-0AA42 6SY7000-0AB42 6SY7000-0AC42 6SY7000-0AA43 6SY7000-0AB43 6SY7000-0AC43 6SY7000-0AA44 6SY7000-0AB44 6SY7000-0AC44 6SY7000-0AA45 6SY7000-0AB45 6SY7000-0AC45 6SY7000-0AA46 6SY7000-0AB46 6SY7000-0AC46 6SY7000-0AA47 6SY7000-0AB47 6SY7000-0AC47 6SY7000-0AA48 6SY7000-0AB48 6SY7000-0AC48 6SY7000-0AA49 6SY7000-0AB49 6SY7000-0AC49 6SY7000-0AA50 6SY7000-0AB50 6SY7000-0AC50 6SY7000-0AA51 6SY7000-0AB51 6SY7000-0AC51
IGBT芯片发展进程
IGBT芯片始于19世纪80年代中期。30年以来,就FOM(优点指数)来说,今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右,其中改良技术包括:精细化加工工艺、栅式IGBT的开发(如三菱电机的CSTBT),以及薄晶圆的开发等等。如今,三菱电机的IGBT芯片已经踏入第7代,正朝第8代迈进。
随着产品的更新换代,功耗越来越低,尺寸越来越小。从80年代中期至今,芯片尺寸只是原来的1/4。
根据IGBT电流容量和市场需求,功率器件分成四大类,包括用于家电变频器的小功率器件,用于工业的较大功率器件,应用在电动汽车的中功率器件,用于电力和牵引的大功率器件。今后都将朝高电流密度、小型化封装及低损耗方向演进。
具体改良措施
三菱电机第7代IGBT模块,功耗降低了约15%~20%,分NX(通用)系列和STD(标准)系列两种封装,取消了绝缘基板,提高了散热性,使产品变得更轻,效率提升了35%。为了降低反复开关造成的噪音,三菱电机增强了通过栅极电阻调节dv/dt的可控性。
● 晶圆片更薄。芯片变薄,使功耗得以降低,但变薄后耐压特性会变差,所以要适度逐层调整,才能使之更耐用和更有效。第7代IGBT芯片涵盖的电压等级有600V、1200V和1700V。 在晶圆尺寸方面,从2000年开始的5英寸,发展至今日的8英寸,最薄达到50微米。晶圆还会继续朝12英寸发展,产品变得更薄,电阻更低。
CUVC板配件型号 6SE1103-4AB00 6SE3016-4BC00 6SE3121-3DC40 6SE3221-7DG40 6SE1116-2AB00 6SE3224-2DJ50 6SE3231-3CK40 6SE9215-2CB40 6SE3223-0DH40 6SE3021-3DC00 6SE3121-7DG40 6SE3221-7FG40 6SE2002-1AA00 6SE3224-2DS45 6SE3231-3CK40 6SE9216-8CB40 6SE3223-0DH50 6SE3111-5BA40 6SE3122-4DG40 6SE3221-8CC40 6SE2003-2AA00 6SE3225-2FJ40 6SE3231-3CK50 6SE9217-3DB40 6SE3223-0DS45 6SE3111-5CA40 6SE3123-0DH40 6SE3222-2FH40