最新的800V CoolMOS?P7系列设置了800V的新基准

super  junction  technologies 和结合了同类性能和

先进的易用性，源于英飞凌18年的发展

开创性的“超级”连接“技术”创新。

特征

?同类 FOM  RDS（on）* Eoss；减少的 Qg， Ciss，和 Coss

?同类 DPAK  RDS（开）

?“同类”V（GS）th“3V”和“最小”V（GS）th“变化”±0.5伏

?集成齐纳二极管 ESD 保护

?完全符合JEDEC工业应用要求

?完全优化的投资组合

好处

?“同类”性能

?实现更高的功率密度设计， BOM 节省和更低

装配成本

?“易于驾驶”和“平行行驶”

?通过减少ESD相关故障，提高产量

?“减产”问题和“减产”回报

?“易于”选择“合适的”零件，以便对“设计”进行“微调”

潜在应用

推荐的用于硬和软开关用于 LED的反激拓扑

照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和

工业电源。也适用于消费类应用中的PFC阶段

太阳能。

请注意：对于MOSFET并联，在栅极上使用铁氧体磁珠

或者通常推荐使用“分开的图腾柱”。